IXFN50N120SK Preços (USD) [1566pcs Estoque]
- 1 pcs$27.64233
- Número da peça:
- IXFN50N120SK
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro and Módulos de driver de energia ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXFN50N120SK electronic components. IXFN50N120SK can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN50N120SK, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFN50N120SK Atributos do produto
Número da peça :
IXFN50N120SK
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
48A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
52 mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.8V @ 10mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
115nC @ 20V
Vgs (máx.) :
+20V, -5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1895pF @ 1000V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
-
Temperatura de operação :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-227B
Pacote / caso :
SOT-227-4, miniBLOC
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