SI4384DY-T1-GE3 Preços (USD) [13315pcs Estoque]
- 2,500 pcs$0.29235
- Número da peça:
- SI4384DY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - DIACs, SIDACs and Transistores - IGBTs - Single ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SI4384DY-T1-GE3 electronic components. SI4384DY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4384DY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI4384DY-T1-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SI4384DY-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
10A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
18nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.47W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SO
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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