STL115N10F7AG Preços (USD) [96264pcs Estoque]
- 1 pcs$0.40618
- Número da peça:
- STL115N10F7AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - DIACs, SIDACs and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
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STL115N10F7AG Atributos do produto
Número da peça :
STL115N10F7AG
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT
Series :
Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
107A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6 mOhm @ 53A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
72.5nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
5600pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
136W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerFlat™ (5x6)
Pacote / caso :
8-PowerVDFN
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