Diodes Incorporated - DMN3009LFVW-7

KEY Part #: K6407564

DMN3009LFVW-7 Preços (USD) [339977pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.10879

Número da peça:
DMN3009LFVW-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN3009LFVW-7 Atributos do produto

Número da peça : DMN3009LFVW-7
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 60A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 42nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2000pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount, Wettable Flank
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerDI3333-8 (Type UX)
Pacote / caso : 8-PowerVDFN

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