IXTP18P10T Preços (USD) [50279pcs Estoque]
- 1 pcs$0.89473
- 10 pcs$0.80777
- 100 pcs$0.64910
- 500 pcs$0.50486
- 1,000 pcs$0.41831
- Número da peça:
- IXTP18P10T
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 100V 18A TO-220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Transistores - Propósito Específico ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXTP18P10T electronic components. IXTP18P10T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTP18P10T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTP18P10T Atributos do produto
Número da peça :
IXTP18P10T
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET P-CH 100V 18A TO-220
Series :
TrenchP™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
18A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
120 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
39nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±15V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2100pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
83W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220AB
Pacote / caso :
TO-220-3
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