ON Semiconductor - FDC608PZ

KEY Part #: K6395929

FDC608PZ Preços (USD) [411172pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.09041
  • 3,000 pcs$0.08996

Número da peça:
FDC608PZ
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 20V 5.8A SSOT-6.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - RF, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Propósito Específico, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Tiristores - TRIACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDC608PZ Atributos do produto

Número da peça : FDC608PZ
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET P-CH 20V 5.8A SSOT-6
Series : PowerTrench®
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 5.8A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 5.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 23nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1330pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.6W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SuperSOT™-6
Pacote / caso : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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