STMicroelectronics - STS5P3LLH6

KEY Part #: K6397040

STS5P3LLH6 Preços (USD) [216233pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.17105
  • 2,500 pcs$0.15227

Número da peça:
STS5P3LLH6
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 30V 5A 8SOIC.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - RF, Tiristores - SCRs, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - JFETs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STS5P3LLH6 Atributos do produto

Número da peça : STS5P3LLH6
Fabricante : STMicroelectronics
Descrição : MOSFET P-CH 30V 5A 8SOIC
Series : DeepGATE™, STripFET™ H6
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 56 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 6nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 639pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.7W (Ta)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SO
Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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