STB11NM60FDT4 Preços (USD) [30284pcs Estoque]
- 1 pcs$1.36090
- 1,000 pcs$1.21144
- Número da peça:
- STB11NM60FDT4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Módulos de driver de energia, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - JFETs ...
- Vantagem competitiva:
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STB11NM60FDT4 Atributos do produto
Número da peça :
STB11NM60FDT4
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Series :
FDmesh™
Status da Peça :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
11A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
450 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
40nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
900pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
160W (Tc)
Temperatura de operação :
-
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D2PAK
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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