DMTH6004SPSQ-13 Preços (USD) [79288pcs Estoque]
- 1 pcs$0.49315
- 2,500 pcs$0.43461
- Número da peça:
- DMTH6004SPSQ-13
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Matrizes and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
- Vantagem competitiva:
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DMTH6004SPSQ-13 Atributos do produto
Número da peça :
DMTH6004SPSQ-13
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
25A (Ta), 100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.1 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
95.4nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
4556pF @ 30V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.1W (Ta), 167W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerDI5060-8
Pacote / caso :
8-PowerTDFN
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