[12555pcs Estoque]
- Número da peça:
- IRLI530N
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Zener - Single, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Propósito Específico and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRLI530N electronic components. IRLI530N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLI530N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRLI530N Atributos do produto
Número da peça :
IRLI530N
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
12A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
34nC @ 5V
Vgs (máx.) :
±16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
800pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
41W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220AB Full-Pak
Pacote / caso :
TO-220-3 Full Pack
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