[2232pcs Estoque]
- Número da peça:
- APTML20UM18R010T1AG
- Fabricante:
- Microsemi Corporation
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 200V 109A SP1.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Tiristores - TRIACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Microsemi Corporation APTML20UM18R010T1AG electronic components. APTML20UM18R010T1AG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTML20UM18R010T1AG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
APTML20UM18R010T1AG Atributos do produto
Número da peça :
APTML20UM18R010T1AG
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrição :
MOSFET N-CH 200V 109A SP1
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
109A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
19 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 2.5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
9880pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
480W (Tc)
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SP1
Pacote / caso :
SP1
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