NTHS5441T1G Preços (USD) [406296pcs Estoque]
- 1 pcs$0.09149
- 3,000 pcs$0.09104
- Número da peça:
- NTHS5441T1G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Módulos de driver de energia, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor NTHS5441T1G electronic components. NTHS5441T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTHS5441T1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NTHS5441T1G Atributos do produto
Número da peça :
NTHS5441T1G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
3.9A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
46 mOhm @ 3.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
22nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
710pF @ 5V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.3W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
ChipFET™
Pacote / caso :
8-SMD, Flat Lead
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