IXTX4N300P3HV Preços (USD) [1797pcs Estoque]
- 1 pcs$26.51003
- 10 pcs$24.95148
- 100 pcs$22.30039
- Número da peça:
- IXTX4N300P3HV
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXTX4N300P3HV electronic components. IXTX4N300P3HV can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTX4N300P3HV, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTX4N300P3HV Atributos do produto
Número da peça :
IXTX4N300P3HV
Fabricante :
IXYS
Descrição :
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
3000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12.5 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
139nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3680pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
960W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247PLUS-HV
Pacote / caso :
TO-247-3 Variant
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