Vishay Siliconix - SIJ470DP-T1-GE3

KEY Part #: K6419617

SIJ470DP-T1-GE3 Preços (USD) [121329pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.30485
  • 3,000 pcs$0.28626

Número da peça:
SIJ470DP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Zener - Single and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Vishay Siliconix SIJ470DP-T1-GE3 electronic components. SIJ470DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIJ470DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIJ470DP-T1-GE3 Atributos do produto

Número da peça : SIJ470DP-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8
Series : ThunderFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 58.8A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.1 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 56nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2050pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerPAK® SO-8
Pacote / caso : PowerPAK® SO-8

Você também pode estar interessado em