ON Semiconductor - NDF10N60ZH

KEY Part #: K6412700

NDF10N60ZH Preços (USD) [13355pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.58534
  • 10 pcs$0.51886

Número da peça:
NDF10N60ZH
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NDF10N60ZH Atributos do produto

Número da peça : NDF10N60ZH
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP
Series : -
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 10A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 750 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 68nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1645pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 39W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220FP
Pacote / caso : TO-220-3 Full Pack

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