Diodes Incorporated - DMT68M8LSS-13

KEY Part #: K6394108

DMT68M8LSS-13 Preços (USD) [376192pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.09832

Número da peça:
DMT68M8LSS-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET N-CHANNEL 60V 28.9A 8SO.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Diodos - retificadores de ponte ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMT68M8LSS-13 Atributos do produto

Número da peça : DMT68M8LSS-13
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET N-CHANNEL 60V 28.9A 8SO
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 28.9A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.5 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 31.8nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2107pF @ 30V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.9W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SO
Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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