Diodes Incorporated - DMN2400UFB4-7

KEY Part #: K6421554

DMN2400UFB4-7 Preços (USD) [1268774pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.02915
  • 3,000 pcs$0.02702

Número da peça:
DMN2400UFB4-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Diodes Incorporated DMN2400UFB4-7 electronic components. DMN2400UFB4-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN2400UFB4-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN2400UFB4-7 Atributos do produto

Número da peça : DMN2400UFB4-7
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 750mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 550 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 0.5nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 36pF @ 16V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 470mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : X2-DFN1006-3
Pacote / caso : 3-XFDFN