[2706pcs Estoque]
- Número da peça:
- IRFH7184TRPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 20A.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Unijunction Programável and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRFH7184TRPBF electronic components. IRFH7184TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFH7184TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFH7184TRPBF Atributos do produto
Número da peça :
IRFH7184TRPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 20A
Series :
FASTIRFET™, HEXFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
20A (Ta), 128A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.8 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.6V @ 150µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
54nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2320pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3.9W (Ta), 156W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PQFN (5x6)
Pacote / caso :
8-PowerTDFN
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