ON Semiconductor - NTMFS5H615NLT1G

KEY Part #: K6418485

NTMFS5H615NLT1G Preços (USD) [65278pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.59898

Número da peça:
NTMFS5H615NLT1G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
T8 60V LOW COSS.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Transistores - JFETs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - SCRs, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Propósito Específico and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTMFS5H615NLT1G Atributos do produto

Número da peça : NTMFS5H615NLT1G
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : T8 60V LOW COSS
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 28A (Ta), 185A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 mOhm @ 49A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 63nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4860pF @ 30V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 3.2W (Ta), 139W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacote / caso : 8-PowerTDFN, 5 Leads

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