Diodes Incorporated - DMS2220LFDB-7

KEY Part #: K6406381

DMS2220LFDB-7 Preços (USD) [1339pcs Estoque]

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Número da peça:
DMS2220LFDB-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-DFN.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes and Tiristores - SCRs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMS2220LFDB-7 Atributos do produto

Número da peça : DMS2220LFDB-7
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-DFN
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 3.5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 95 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (máx.) : ±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 632pF @ 10V
Recurso FET : Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.) : 1.4W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : U-DFN2020-6 (Type B)
Pacote / caso : 6-UDFN Exposed Pad

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