FQT7N10TF Preços (USD) [449232pcs Estoque]
- 1 pcs$0.09196
- 4,000 pcs$0.09151
- Número da peça:
- FQT7N10TF
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FQT7N10TF electronic components. FQT7N10TF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQT7N10TF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FQT7N10TF Atributos do produto
Número da peça :
FQT7N10TF
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
Series :
QFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1.7A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
350 mOhm @ 850mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
7.5nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
250pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-223-4
Pacote / caso :
TO-261-4, TO-261AA
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