STMicroelectronics - STS1HNK60

KEY Part #: K6415862

[12264pcs Estoque]


    Número da peça:
    STS1HNK60
    Fabricante:
    STMicroelectronics
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 600V 300MA 8-SOIC.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - RF, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Módulos and Diodos - Zener - Single ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in STMicroelectronics STS1HNK60 electronic components. STS1HNK60 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STS1HNK60, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    STS1HNK60 Atributos do produto

    Número da peça : STS1HNK60
    Fabricante : STMicroelectronics
    Descrição : MOSFET N-CH 600V 300MA 8-SOIC
    Series : SuperMESH™
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 300mA (Tc)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.5 Ohm @ 500mA, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 250µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 10V
    Vgs (máx.) : ±30V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 156pF @ 25V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 2W (Tc)
    Temperatura de operação : -65°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SO
    Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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