ON Semiconductor - FCP067N65S3

KEY Part #: K6399003

FCP067N65S3 Preços (USD) [16040pcs Estoque]

  • 1 pcs$2.56928
  • 800 pcs$1.63174

Número da peça:
FCP067N65S3
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 650V 44A TO220.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Single and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCP067N65S3 Atributos do produto

Número da peça : FCP067N65S3
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 650V 44A TO220
Series : SuperFET® III
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 44A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 67 mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 4.4mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 78nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3090pF @ 400V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 312W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220
Pacote / caso : TO-220-3

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