Nexperia USA Inc. - PMZB290UNE,315

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Número da peça:
PMZB290UNE,315
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PMZB290UNE,315 Atributos do produto

Número da peça : PMZB290UNE,315
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Descrição : MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 0.68nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 83pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DFN1006B-3
Pacote / caso : 3-XFDFN

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