[1009pcs Estoque]
- Número da peça:
- RDN080N25FU6
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Propósito Específico and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Rohm Semiconductor RDN080N25FU6 electronic components. RDN080N25FU6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RDN080N25FU6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RDN080N25FU6 Atributos do produto
Número da peça :
RDN080N25FU6
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
250V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
8A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
500 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
30nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
543pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
35W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220FN
Pacote / caso :
TO-220-3 Full Pack
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