[4024pcs Estoque]
- Número da peça:
- AUIRF7341Q
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Módulos de driver de energia, Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies AUIRF7341Q electronic components. AUIRF7341Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AUIRF7341Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
AUIRF7341Q Atributos do produto
Número da peça :
AUIRF7341Q
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
55V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
5.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
44nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
780pF @ 25V
Potência - Max :
2.4W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SO
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