ON Semiconductor - NVMFS5C442NLAFT1G

KEY Part #: K6397213

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Número da peça:
NVMFS5C442NLAFT1G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 40V 29A 130A 5DFN.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Diodos - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVMFS5C442NLAFT1G Atributos do produto

Número da peça : NVMFS5C442NLAFT1G
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 40V 29A 130A 5DFN
Series : Automotive, AEC-Q101
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 29A (Ta), 130A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 50nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3100pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacote / caso : 8-PowerTDFN, 5 Leads

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