TPH3207WS Preços (USD) [2717pcs Estoque]
- 1 pcs$14.57542
- 10 pcs$13.48249
- 100 pcs$11.51458
- Número da peça:
- TPH3207WS
- Fabricante:
- Transphorm
- Descrição detalhada:
- GANFET N-CH 650V 50A TO247.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Módulos de driver de energia and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Transphorm TPH3207WS electronic components. TPH3207WS can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPH3207WS, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TPH3207WS Atributos do produto
Número da peça :
TPH3207WS
Fabricante :
Transphorm
Descrição :
GANFET N-CH 650V 50A TO247
Series :
-
Status da Peça :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
50A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
41 mOhm @ 32A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.65V @ 700µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
42nC @ 8V
Vgs (máx.) :
±18V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2197pF @ 400V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
178W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247-3
Pacote / caso :
TO-247-3
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