IXTQ120N20P Preços (USD) [12463pcs Estoque]
- 1 pcs$3.65543
- 30 pcs$3.63724
- Número da peça:
- IXTQ120N20P
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 200V 120A TO-3P.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - JFETs and Tiristores - SCRs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXTQ120N20P electronic components. IXTQ120N20P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTQ120N20P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTQ120N20P Atributos do produto
Número da peça :
IXTQ120N20P
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 200V 120A TO-3P
Series :
PolarHT™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
120A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
22 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
152nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
6000pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
714W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-3P
Pacote / caso :
TO-3P-3, SC-65-3
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