ON Semiconductor - FCP20N60

KEY Part #: K6399184

FCP20N60 Preços (USD) [12775pcs Estoque]

  • 1 pcs$3.18626
  • 10 pcs$2.84340
  • 100 pcs$2.33139
  • 500 pcs$1.88787
  • 1,000 pcs$1.59218

Número da peça:
FCP20N60
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCP20N60 Atributos do produto

Número da peça : FCP20N60
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
Series : SuperFET™
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 20A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 98nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3080pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 208W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220-3
Pacote / caso : TO-220-3

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