Diodes Incorporated - DMN3030LSS-13

KEY Part #: K6403364

DMN3030LSS-13 Preços (USD) [15265pcs Estoque]

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Número da peça:
DMN3030LSS-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - RF, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Retificadores - Solteiro and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN3030LSS-13 Atributos do produto

Número da peça : DMN3030LSS-13
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 9A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 741pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.5W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SOP
Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)