Renesas Electronics America - H5N2307LSTL-E

KEY Part #: K6400372

[3420pcs Estoque]


    Número da peça:
    H5N2307LSTL-E
    Fabricante:
    Renesas Electronics America
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH HS SW TO-263.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in Renesas Electronics America H5N2307LSTL-E electronic components. H5N2307LSTL-E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for H5N2307LSTL-E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    H5N2307LSTL-E Atributos do produto

    Número da peça : H5N2307LSTL-E
    Fabricante : Renesas Electronics America
    Descrição : MOSFET N-CH HS SW TO-263
    Series : *
    Status da Peça : Last Time Buy
    Tipo FET : -
    Tecnologia : -
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : -
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : -
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : -
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
    Vgs (th) (Max) @ Id : -
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : -
    Vgs (máx.) : -
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : -
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : -
    Temperatura de operação : -
    Tipo de montagem : -
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : -
    Pacote / caso : -

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