IPA030N10N3GXKSA1 Preços (USD) [25396pcs Estoque]
- 1 pcs$1.62280
- Número da peça:
- IPA030N10N3GXKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 79A TO220-FP.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - TRIACs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Unijunction Programável and Tiristores - SCRs ...
- Vantagem competitiva:
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IPA030N10N3GXKSA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPA030N10N3GXKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 79A TO220-FP
Series :
OptiMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
79A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3 mOhm @ 79A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 270µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
206nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
14800pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
41W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO220-FP
Pacote / caso :
TO-220-3 Full Pack
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