IPD65R400CEAUMA1 Preços (USD) [187898pcs Estoque]
- 1 pcs$0.19685
- 2,500 pcs$0.16079
- Número da peça:
- IPD65R400CEAUMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 650V TO-252.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - RF and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IPD65R400CEAUMA1 electronic components. IPD65R400CEAUMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD65R400CEAUMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPD65R400CEAUMA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPD65R400CEAUMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 650V TO-252
Series :
CoolMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
15.1A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
400 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 320µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
39nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
710pF @ 100V
Recurso FET :
Super Junction
Dissipação de energia (máx.) :
118W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO252-3
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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