RUC002N05HZGT116 Preços (USD) [2710765pcs Estoque]
- 1 pcs$0.01364
- Número da peça:
- RUC002N05HZGT116
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrição detalhada:
- 1.2V DRIVE NCH MOSFET.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - SCRs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Zener - Single and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Rohm Semiconductor RUC002N05HZGT116 electronic components. RUC002N05HZGT116 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RUC002N05HZGT116, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RUC002N05HZGT116 Atributos do produto
Número da peça :
RUC002N05HZGT116
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrição :
1.2V DRIVE NCH MOSFET
Series :
Automotive, AEC-Q101
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
50V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
200mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
25pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
350mW (Ta)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SST3
Pacote / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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