Vishay Siliconix - SI4048DY-T1-GE3

KEY Part #: K6405889

SI4048DY-T1-GE3 Preços (USD) [1509pcs Estoque]

  • 2,500 pcs$0.11986

Número da peça:
SI4048DY-T1-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SOIC.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Tiristores - SCRs, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4048DY-T1-GE3 Atributos do produto

Número da peça : SI4048DY-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SOIC
Series : TrenchFET®
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 19.3A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 85 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 51nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2060pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SO
Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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