FDB075N15A-F085 Preços (USD) [36141pcs Estoque]
- 1 pcs$1.08185
- Número da peça:
- FDB075N15A-F085
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Vantagem competitiva:
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FDB075N15A-F085 Atributos do produto
Número da peça :
FDB075N15A-F085
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK
Series :
Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
150V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
110A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.5 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
95nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
5595pF @ 75V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
333W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D²PAK (TO-263)
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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