SSM6K211FE,LF Preços (USD) [636850pcs Estoque]
- 1 pcs$0.06421
- 4,000 pcs$0.06389
- Número da peça:
- SSM6K211FE,LF
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Tiristores - TRIACs ...
- Vantagem competitiva:
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SSM6K211FE,LF Atributos do produto
Número da peça :
SSM6K211FE,LF
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
Series :
U-MOSIII
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
3.2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
47 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
10.8nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
510pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
500mW (Ta)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
ES6
Pacote / caso :
SOT-563, SOT-666
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