[13836pcs Estoque]
- Número da peça:
- FDD2612
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 200V 4.9A D-PAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDD2612 electronic components. FDD2612 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDD2612, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDD2612 Atributos do produto
Número da peça :
FDD2612
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 200V 4.9A D-PAK
Series :
PowerTrench®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4.9A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
720 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
11nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
234pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
42W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-252
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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