FDC2612 Preços (USD) [253170pcs Estoque]
- 1 pcs$0.14683
- 3,000 pcs$0.14610
- Número da peça:
- FDC2612
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 200V 1.1A SSOT-6.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
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- Vantagem competitiva:
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FDC2612 Atributos do produto
Número da peça :
FDC2612
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 200V 1.1A SSOT-6
Series :
PowerTrench®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1.1A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
725 mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
11nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
234pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.6W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SuperSOT™-6
Pacote / caso :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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