Diodes Incorporated - DMN61D8LVT-13

KEY Part #: K6522529

DMN61D8LVT-13 Preços (USD) [520661pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.07104
  • 10,000 pcs$0.06261

Número da peça:
DMN61D8LVT-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - SCRs, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Single and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN61D8LVT-13 Atributos do produto

Número da peça : DMN61D8LVT-13
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Recurso FET : Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 630mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 Ohm @ 150mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 0.74nC @ 5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 12.9pF @ 12V
Potência - Max : 820mW
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TSOT-26