Infineon Technologies - IPAN70R600P7SXKSA1

KEY Part #: K6420089

IPAN70R600P7SXKSA1 Preços (USD) [158957pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.23892
  • 500 pcs$0.23773

Número da peça:
IPAN70R600P7SXKSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO220.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Propósito Específico and Diodos - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPAN70R600P7SXKSA1 Atributos do produto

Número da peça : IPAN70R600P7SXKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 700V 8.5A TO220
Series : CoolMOS™ P7
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 700V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 8.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 90µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 10.5nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 364pF @ 400V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 24.9W (Tc)
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO220 Full Pack
Pacote / caso : TO-220-3 Full Pack

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