PML260SN,118 Preços (USD) [12169pcs Estoque]
- 1,400 pcs$0.20230
- Número da peça:
- PML260SN,118
- Fabricante:
- Nexperia USA Inc.
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 200V 8.8A 8HVSON.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - TRIACs and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
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PML260SN,118 Atributos do produto
Número da peça :
PML260SN,118
Fabricante :
Nexperia USA Inc.
Descrição :
MOSFET N-CH 200V 8.8A 8HVSON
Series :
TrenchMOS™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
8.8A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
294 mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
13.3nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
657pF @ 30V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
50W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DFN3333-8
Pacote / caso :
8-VDFN Exposed Pad
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