GP1M018A020PG Preços (USD) [2649pcs Estoque]
- 1 pcs$0.61043
- 10 pcs$0.54186
- 100 pcs$0.42818
- 500 pcs$0.31411
- 1,000 pcs$0.24798
- Número da peça:
- GP1M018A020PG
- Fabricante:
- Global Power Technologies Group
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 200V 18A IPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Módulos de driver de energia, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
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GP1M018A020PG Atributos do produto
Número da peça :
GP1M018A020PG
Fabricante :
Global Power Technologies Group
Descrição :
MOSFET N-CH 200V 18A IPAK
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
18A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
170 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
18nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
950pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
94W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
I-PAK
Pacote / caso :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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