NTMFS4C09NBT3G Preços (USD) [433692pcs Estoque]
- 1 pcs$0.08529
- 5,000 pcs$0.07072
- Número da peça:
- NTMFS4C09NBT3G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V SO8FL.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Retificadores - Solteiro and Tiristores - TRIACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor NTMFS4C09NBT3G electronic components. NTMFS4C09NBT3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTMFS4C09NBT3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NTMFS4C09NBT3G Atributos do produto
Número da peça :
NTMFS4C09NBT3G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 30V SO8FL
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
-
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (máx.) :
-
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1252pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
760mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
-
Pacote / caso :
-
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