[13852pcs Estoque]
- Número da peça:
- FDU8880
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 58A I-PAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - RF, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Retificadores - Matrizes and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDU8880 electronic components. FDU8880 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDU8880, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDU8880 Atributos do produto
Número da peça :
FDU8880
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 58A I-PAK
Series :
PowerTrench®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
13A (Ta), 58A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
31nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1260pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
55W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
I-PAK
Pacote / caso :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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