[68pcs Estoque]
- Número da peça:
- IRF6609TRPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro and Transistores - JFETs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRF6609TRPBF electronic components. IRF6609TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF6609TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF6609TRPBF Atributos do produto
Número da peça :
IRF6609TRPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
31A (Ta), 150A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2 mOhm @ 31A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.45V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
69nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
6290pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DIRECTFET™ MT
Pacote / caso :
DirectFET™ Isometric MT
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