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  5. APT11F80B

Microsemi Corporation - APT11F80B

KEY Part #: K6396520

APT11F80B Preços (USD) [17335pcs Estoque]

  • 1 pcs$2.62829
  • 97 pcs$2.61522
Número da peça:
APT11F80B
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 800V 12A TO-247.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - JFETs, Transistores - Propósito Específico and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Microsemi Corporation APT11F80B electronic components. APT11F80B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT11F80B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT11F80B Atributos do produto

Número da peça : APT11F80B
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : MOSFET N-CH 800V 12A TO-247
Series : POWER MOS 8™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 12A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 900 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 80nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2471pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 337W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247 [B]
Pacote / caso : TO-247-3

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