EPC - EPC2021

KEY Part #: K6400694

EPC2021 Preços (USD) [19977pcs Estoque]

  • 1 pcs$2.28055
  • 500 pcs$2.26921

Número da peça:
EPC2021
Fabricante:
EPC
Descrição detalhada:
GANFET TRANS 80V 90A BUMPED DIE.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - TRIACs and Transistores - Unijunction Programável ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2021 Atributos do produto

Número da peça : EPC2021
Fabricante : EPC
Descrição : GANFET TRANS 80V 90A BUMPED DIE
Series : eGaN®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 80V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 90A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 mOhm @ 29A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 14mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 5V
Vgs (máx.) : +6V, -4V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1650pF @ 40V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : -
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Die
Pacote / caso : Die