IXYS - IXFH22N55

KEY Part #: K6415084

[12532pcs Estoque]


    Número da peça:
    IXFH22N55
    Fabricante:
    IXYS
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 550V 22A TO-247AD.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - RF and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in IXYS IXFH22N55 electronic components. IXFH22N55 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH22N55, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXFH22N55 Atributos do produto

    Número da peça : IXFH22N55
    Fabricante : IXYS
    Descrição : MOSFET N-CH 550V 22A TO-247AD
    Series : HiPerFET™
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 550V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 22A (Tc)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 270 mOhm @ 11A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 4mA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 170nC @ 10V
    Vgs (máx.) : ±20V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4200pF @ 25V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 300W (Tc)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Through Hole
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247AD (IXFH)
    Pacote / caso : TO-247-3

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